位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
A threshold voltage simulation of hydrogen-terminated diamond MESFETs
  • 所属机构名称：上海大学
  • 会议名称：ICMSE'2012: 3rd International Conference on Manufacturing Science and Engineering
  • 时间：2012.3.24
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：硼(10B)/金刚石薄膜复合结构的制备及中子阵列探测技术研究
作者： Qingkai Zeng|Bing Ren|Zhenhua Wang|Linjun Wang|
同会议论文项目
硼(10B)/金刚石薄膜复合结构的制备及中子阵列探测技术研究
期刊论文 23 会议论文 2
同项目会议论文
Research of boron films deposited on different substrates