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A new high performance RF LDMOS with vertical n+n-p-p+ drain structure
  • 所属机构名称：华中科技大学
  • 会议名称：the IEEE 10th International Conference on ASIC (ASICON2013)
  • 时间：2013.10.10
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：基于CMOS工艺的动态电源驱动架构射频集成功率放大器关键问题研究
作者： 陈晓飞|沈亚丁|邹雪城|林双喜|邹望辉|
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