位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
Vertical-external-cavity surface-emitting lasers: numerical simulation, and characterization
  • 所属机构名称：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 会议名称：2008 Proceedings of SPIE-optoelectronic Materials and Devices III
  • 成果类型：会议
  • 会场：Hanghzou
  • 相关项目：量子阱内光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器研究
作者： Guoguang Lu|Li Qin|Chenfeng He|Changling Yan|
同会议论文项目
量子阱内光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器研究
期刊论文 29 会议论文 12 专利 2
同项目会议论文
Theoretical results of vertical external cavity surface emitting laser (VECSEL)
High power VCSEL device with period gain active region
1.3μm光抽运垂直外腔面发射激光器的理论研究
光泵浦垂直外腔面发射激光器的结构优化设计
A novel bottom-emitting VCSEL’s one-dimension array
Temperature Characteristics of several familiar Diode Lasers with Broad Area
High Power Diode Pumped Vertical External-cavity Surface-emitting Lasers (VECSELS)
光抽运垂直外腔面发射激光器的光谱特性研究
光泵面发射激光器及其腔内倍频研究
Large aperture low threshold current 980nm VCSEL fabricated with pulsed anodic oxidation
The spectral feature analysis of semiconductor thin disk laser