位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
Optimizing The Double-Cap Procedure for InAs/InGaAsP/InP Quantum Dots by Metal-Organic Chemical Vapo
  • 所属机构名称：中国科学院半导体研究所
  • 会议名称：The 25th international conference on indium phosphide and related materials
  • 时间：2013.5.5
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：新型高效InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究
作者： Shuai Luo|Haiming Ji|Xiaoguang Yang|Tao Yang|
同会议论文项目
新型高效InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究
期刊论文 11 会议论文 15
同项目会议论文
The growth of InAsSb nanowires by MOCVD
Two-State Lasing in InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Grown by MBE
图形衬底上InAs纳米线阵列的MOCVD无催化生长
MOCVD生长高质量InAs/InGaAsP/InP叠层结构量子点
可调谐外腔InAs/InP量子点激光器
1.3-2.4微米InP基低维InAs材料的MOVPE生长
MOCVD制备InAs/InGaAsP/InP量子点材料和激光器
Effect of antimony irradiation on single-layer and multilayer InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by Mol
Si sheet doping inside the InAs/GaAs quantum dots with different levels
V/III比对MOCVD生长InAs/GaAs量子点的影响
Si掺杂InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究
MOCVD生长室温连续激射InAs/InGaAsP/InP量子点激光器
MOCVD growth of catalyst-free III-V semiconductor nanowires on Si substrates
The influence of oxide layer on self-catalyzed InAs nanowires grown on Si(111) by MOCVD