欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
会议
> 会议详情页
In离子选择注入GaAs(001)衬底
所属机构名称:中国科学院半导体研究所
会议名称:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议,2006年11月4-11日,广西北海。 本论文收录在《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集》93-96页。
成果类型:会议
相关项目:隧穿注入量子点激光器
作者:
周慧英,曲胜春,王占国
同会议论文项目
隧穿注入量子点激光器
期刊论文 16
会议论文 4
同项目会议论文
利用多层堆垛InAs/GaAs量子点结
Preparation and AFM characteri
InP基近红外波段量子线激光器的