欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
会议
> 会议详情页
Abnormal Off-State Leakage Cur
所属机构名称:北京大学
成果类型:会议
相关项目:基于SOI的射频(RF)电路相关特性研究及射频电路模块研制
作者:
Wenping Wang, Ru Huang, Guoyan
同会议论文项目
基于SOI的射频(RF)电路相关特性研究及射频电路模块研制
期刊论文 13
会议论文 7
著作 2
同项目会议论文
A 2.4 GHz fully integrated CMO
Wide Tuning-Range MOS Varactor
Impact of Leakage Currents on
SOI CMOS technology for RF/MMI
A fully Integrated SiGe Low No
Design and Characterization of