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光致发光研究GaSbBi单量子阱带边能级
  • 所属机构名称：中国科学院上海技术物理研究所
  • 会议名称：第十九届全国半导体物理学术会议
  • 时间：2013.7.16
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：InAs/GaSb超晶格红外探测材料的调制光谱研究
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