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Mobility Enhancement and Slow Traps Reduction in Interfacial Layer-Free Al2O3/Ge pMOSFETs with Ozone
  • 所属机构名称：浙江大学
  • 会议名称：IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC).
  • 时间：2013
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：纳米MOS器件中的表面粗糙度散射机理研究
作者： Jiabao Sun|Rui Zhang|Wangran Wu|Yi Shi|Yi Zhao|
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