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MOCVD制备InAs/InGaAsP/InP量子点材料和激光器
所属机构名称:中国科学院半导体研究所
会议名称:第十九届全国半导体物理学术会议
时间:2013.7.14
成果类型:会议
相关项目:基于MOCVD高性能1.55微米InAs/InP自组织量子点材料生长及激光器应用研究
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