位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
Theoretical Study of Line and Terraces Defects on GaN(0001) Surface
  • 所属机构名称：四川师范大学
  • 会议名称：2015环境、材料与能源国际学术论坛
  • 时间：2016.3.1
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：GaN表面缺陷诱导ABO3薄膜生长机理研究
同会议论文项目
GaN表面缺陷诱导ABO3薄膜生长机理研究
期刊论文 18 会议论文 1
同项目会议论文