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Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion imp
  • 所属机构名称：中国科学院半导体研究所
  • 会议名称：The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16)
  • 时间：2010.8.8
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：新型黑硅材料与红外探测器研究
作者： Zhou, Huiying|Qu, Shengchun|Jin, Peng|Xu, Bo|Ye, Xiaoling|Liu, Junpeng|Wang, Zhanguo|
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