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Total Ionizing Dose Effects on Triple-Gate Fets
  • 所属机构名称：深圳大学
  • 会议名称：11th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
  • 时间：2012.10.29
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：超薄SOI材料中Si纳米团簇的形成、表征和抗辐射机理研究
作者： Shi-Yao Liu|Hewei|Jian-Min Cao|Si-Wen Huang|Xiao-Jin Zhao|
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