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The influence of V/III ratio on the strain in the nonpolar a-plane GaN film grown by MOCVD
所属机构名称:北京大学
会议名称:7th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices
成果类型:会议
相关项目:GaN基异质结构的光学偏振问题及其控制
作者:
Jiejun Wu|Tongjun Yu|Zhijian Yang|Guoyi Zhang|Lubing Zhao|
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