位置:成果数据库 > 会议 > 会议详情页
The influence of V/III ratio on the strain in the nonpolar a-plane GaN film grown by MOCVD
  • 所属机构名称:北京大学
  • 会议名称:7th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices
  • 成果类型:会议
  • 相关项目:GaN基异质结构的光学偏振问题及其控制
同会议论文项目
期刊论文 39 会议论文 6 专利 4
同项目会议论文