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High-density Ge dots grown on Si substrate by modified S-K method
  • 所属机构名称：南京大学
  • 会议名称：7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology, Vols 1- 3, Proceedin
  • 作者或编辑：3448
  • 第一作者单位：南京大学
  • 语言：英文
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：温差电低维结构材料的制备及性能研究
作者： Bo Yan*|Yi Shi|Lin Pu|Hongguan Yang|Jianmin Zhu|Rong Zhang|Shulin Gu|Youdou Zheng|
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温差电低维结构材料的制备及性能研究
期刊论文 13 会议论文 16
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