欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
会议
> 会议详情页
High-Voltage Thin Layer SOI Technology for Negative Power Supply
所属机构名称:电子科技大学
会议名称:24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)
时间:2012
成果类型:会议
相关项目:高速高压IGBT瞬态抽出模型与新结构
作者:
Wang, Cheng|He, Yitao|Wen, Hengjuan|Zhou, Xin|Jiang, Lingli|Jiang, Huaping|Luo, Xiaorong|Li, Zhaoji|Zhang, Bo|
同会议论文项目
高速高压IGBT瞬态抽出模型与新结构
期刊论文 12
会议论文 7
专利 15
同项目会议论文
A High Reliable Reverse-Conducting IGBT with a Floating P-plug
A 300 v thin layer SOI nLDMOS based on RESURF and MFP
A novel triple RESURF LDMOS with partial N+ buried layer
A reduced surface current LDMOS with stronger ESD robustness
Fast switching and small sized SOI-LTIGBT with shorted trench anode
Ultra-low Specific On-resistance SOI High Voltage Trench LDMOS with Dielectric Field Enhancement Bas