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The effects of growth temperature of AlN buffer layers on a-plane GaN grown on r-plane sapphire by M
  • 所属机构名称：华中科技大学
  • 会议名称：3rd International Photonics and OptoElectronics Meetings
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：非极性面高Al组分AlGaN基深紫外LED外延材料与器件的研究
作者： Sun, Y. Q.|Chen, C. Q.|Wu, Z. H.|Yin, J.|Fang, Y. Y.|Wang, H.|Dai, J. N.|Zhang, J.|Yu, C. H.|Feng, C.|
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