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Threshold voltage dependence on channel width in nano-channel array AlGaN/GaN HEMTs
  • 所属机构名称：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 会议名称：9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)
  • 时间：2012
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：准一维限域体系的量子输运特性研究
作者： Zhang, Baoshun|Cai, Yong|Gong, Rumin|Wang, Jinyan|Zeng, Chunhong|Shi, Wenhua|Feng, Zhihong|Wang, Jingjing|Yin, Jiayun|
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