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LEC　SI-GaAs中的AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响
  • 所属机构名称：河北工业大学
  • 会议名称：2003年全国砷化镓及有关化合物会议论文集
  • 语言：中文
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：Ф6“～Ф8“半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶生长及机制研究
作者： 徐岳生|付生辉|刘彩池|王海云|郝景臣|
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Ф6“～Ф8“半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶生长及机制研究
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