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Anisotropic magnetoresistance (AMR) and planar Hall effect (PHE) in La2/3Ca1/3MnO3 thin films with v
  • 所属机构名称：中国科学院物理研究所
  • 会议名称：The 19th Workshop on Oxide Electronics
  • 时间：2012.10.3
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：铜氧化物超导体与锰氧化物铁磁体低维结构界面性质的研究
作者： 李洁|
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