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A novel triple RESURF LDMOS with partial N+ buried layer
  • 所属机构名称：电子科技大学
  • 会议名称：2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 201
  • 时间：2012
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：高速高压IGBT瞬态抽出模型与新结构
作者： Xiang, Fan|Wang, Zhuo|Wen, Heng-Juan|Zhou, Xin|Qiao, Ming|Zhang, Bo|
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