欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
会议
> 会议详情页
HfO2 / SiO2 Composite-layer One-Time Programmable Memory Cell Prepared by Atomic Layer Deposition
所属机构名称:复旦大学
会议名称:International Conference on ALD 2012
时间:2012.6.17
成果类型:会议
相关项目:隧穿场效应晶体管在存储器应用中的探索与研究
作者:
Xiao-Yong Liu|Peng-Fei Wang|Qing-Qing Sun|David Wei Zhang|
同会议论文项目
隧穿场效应晶体管在存储器应用中的探索与研究
期刊论文 7
会议论文 4
同项目会议论文
A novel single-transistor APS and its comparison with 3T CMOS image sensor
A Novel Recessed-channel Tunneling FET Design with Boosted Drive Current and Suppressed Leakage Curr
Investigation of single-transistor active pixel image sensor compatible with dual-poly-gate technolo