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辐照对SiGe HBT增益的影响
  • 所属机构名称：清华大学
  • 会议名称：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集（2006.11，广西北海市）p.642-6
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：CMOS图像传感器的电子和质子辐照损伤机理研究
作者： 孟祥提*，王吉林，黄强，贾宏勇
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