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Electrical properties of strained Si p-n junctions,
  • 所属机构名称：浙江大学
  • 会议名称：IEEE International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT).
  • 时间：2012.10.30
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：纳米MOS器件中的表面粗糙度散射机理研究
作者： Wangran Wu|Jiabao Sun|Yi Shi|Yi Zhao|
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