位置:成果数据库 > 会议 > 会议详情页
3-D Edge-Element Analysis of Characteristic Parameters for II-VI Semiconductor Materia
  • 所属机构名称:中国科学技术大学
  • 会议名称:Proceedings of ICCEA’99, Beijing, 1999
  • 作者或编辑:3448
  • 语言:英文
  • 成果类型:会议
  • 相关项目:半导体霍耳效应测量的无接触微波方法
同会议论文项目
同项目会议论文