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Formation of InAs quantum dots in silicon by ion implantation and subsequent annealing
  • 所属机构名称：武汉大学
  • 会议名称：16届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议，西安（2010）,352
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：离子注入制备硅基III - V 族半导体量子点及其光电特性研究
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