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基于纳球光刻图形化GaAs衬底异质生长InP的局域化表面成核层生长研究
  • 所属机构名称：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 会议名称：第十四届全国固体薄膜学术会议论文集
  • 时间：2014.7
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：面向高效多结电池、基于深宽比位错捕获技术的InP/GaAs 异质外延研究
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