欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
会议
> 会议详情页
Donor impurity states in Zinc-blende InGaN quantum-well wires
所属机构名称:曲阜师范大学
会议名称:The 16th International Conference on Superlattices, Nanostructures & Nano-devices (ICSNN-2010)
成果类型:会议
相关项目:GSMBE 1.55微米 InAs/InGaAsP 量子点激光器材料与器件
作者:
Li-Ming Jiang|Hai-Long Wang|Qian Gong|Song-Lin Feng|
同会议论文项目
GSMBE 1.55微米 InAs/InGaAsP 量子点激光器材料与器件
期刊论文 25
会议论文 5
专利 3
同项目会议论文
InAs/InP quantum dot grown by gas source molecular-beam epitaxy
The effects of electric and magnetic field on the hydrogenic donor impurity in GaN/Al(x)Ga(1-x)N sph
GaInAs/InGaAsP量子阱结构中施主杂质的电子态研究
InAs/GaAs自组装量子点激光器的I-V特性研究