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4H-SiC TRENCH MOSFETS BASED ON MULTILAYER EPITAXIAL STRUCTURES
  • 所属机构名称：西安电子科技大学
  • 会议名称：2014 IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
  • 时间：2014.10.28
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：HfAlO/4H-SiC MOSFETs功率器件研究
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