欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
会议
> 会议详情页
An integrated SOI high voltage device with a ring drain
所属机构名称:电子科技大学
会议名称:2009 International Conference on Communications, Circuits and Systems, ICCCAS 2009
成果类型:会议
会场:Milpitas, CA, United states
相关项目:新结构高压高速LIGBT中势垒控制背注入研究
作者:
Zhou, Xianda|Li, Zhaoji|Fang, Jian|Liu, Zhe|Zhang, Bo|
同会议论文项目
新结构高压高速LIGBT中势垒控制背注入研究
期刊论文 1
会议论文 2
专利 1
同项目会议论文
High-voltage technology based on thin layer SOI for driving plasma display panels