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Nanopatterning and selective area epitaxy of GaN on Si substrate - art. no. 68940A
  • 所属机构名称：华中科技大学
  • 会议名称：Conference on Gallium Nitride Materials and Devices III
  • 成果类型：会议
  • 会场：San Jose, CA
  • 相关项目：半极性小面InGaN量子阱结构生长与多色光合成研究
作者： Teng, J. H.|Wang, B. Z.|Tripathy, S.|Wang, L. S.|Chua, S. J.|Zang, K. Y.|
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