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Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectr
  • 所属机构名称：中国科学院半导体研究所
  • 会议名称：The 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
  • 成果类型：会议
  • 会场：北京
  • 相关项目：超晶格解理面上应变自组织纳米结构生长和光电性质研究
作者： 陈涌海|
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