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4H-SiC Junction Barrier Schottky diode with embedded P-layer
  • 所属机构名称：西安电子科技大学
  • 会议名称：2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2010
  • 成果类型：会议
  • 会场：Hong Kong, China
  • 相关项目：碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究
作者： Chen, Fengping|Song, Qingwen|Zhang, Yuming|Jia, Renxu|Zhang, Yimen|Tang, Xiaoyan|Wang, Yuehu|
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