位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
N型硅衬底上射频磁控溅射法制备氮化硼薄膜的研究
  • 所属机构名称：吉林大学
  • 会议名称：第十九届全国半导体物理学术会议
  • 时间：2013.7.7
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：立方氮化硼单晶真空紫外光电探测器的研究
作者： 李鑫璐|冯双|王琦|贺俊博|刘秀环|侯丽新|高延军|贾刚|陈占国|
同会议论文项目
立方氮化硼单晶真空紫外光电探测器的研究
期刊论文 13 会议论文 13
同项目会议论文
硅材料中电光效应的测量与区分
针-板电极间片状立方氮化硼单晶的电致发光
半绝缘GaAs的二阶非线性响应
Vacuum Ultraviolet Emission from Cubic Boron Nitride Single Crystals in Extremely Non-uniform Electr
Plasmas Excited by Extremely Non-uniform Electric Field Using Cubic Boron Nitride Single Crystals in
多彩超硬的立方氮化硼
利用温控电流曲线确定立方氮化硼杂质能级位置
立方氮化硼单晶的X射线光电子谱研究
应用前景广阔的氮化硼
立方氮化硼晶体的硅掺杂
立方氮化硼对等离子体产生的促进作用
cBN 电光张量的测量