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在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN
  • 所属机构名称：南京大学
  • 会议名称：第十五届全国半导体会议 成都2005
  • 作者或编辑：3448
  • 第一作者单位：南京大学
  • 语言：中文
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：温差电低维结构材料的制备及性能研究
作者： 谢自力*|张荣|修向前|毕朝霞|刘斌|濮林|陈敦军|韩平|顾书林|江若琏|朱顺民|赵红|施毅|郑有炓|
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温差电低维结构材料的制备及性能研究
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