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A physical model based on surface potential for double-gate a-Si:H TFTs
  • 所属机构名称：华南理工大学
  • 会议名称：IEEE EDSSC 2009
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：多晶硅薄膜晶体管的建模及特性研究
作者： Liu, Yuan ; Yao, Ruo-He ; Li, Bin ; Xie, Wen-Niu|
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