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Thermal analysis of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors by infrared microscopy
  • 所属机构名称：中国科学院微电子研究所
  • 会议名称：2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits,
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：AlGaN/GaN HEMT飞秒超快特性的研究
作者： Miao, Zhao|Xinyu, Liu|Zheng, Yingkui|Ke, Wei|Peng, Mingzeng|Li, Yankui|Liu, Guoguo|
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