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The influence of AlN buffer layer thickness grown by pulsed atomic layer epitaxy on the properties o
  • 所属机构名称：华中科技大学
  • 会议名称：Photonics and Optolectronics Meetings (POEM) 2011: Optoelectronic Devices and Integration
  • 时间：2012
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：非极性面ZnO/ZnCdO量子阱结构LED外延材料生长与器件制备研究
作者： Zhang, Jin|Xiong, H.|Li, S.L.|Wang, H.|Fang, Y.Y.|Tang, J.Y.|Li, Y.|Tian, W.|Chen, C.Q.|
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