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Oxide-based RRAM: Unified microscopic principle for both unipolar and bipolar switching
  • 所属机构名称：北京大学
  • 会议名称：2011 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2011
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：氧化物基电阻存储器电阻开关特性的离子掺杂调控研究
作者： Gao, B.|Tran, X.A.|Wang, Z.R.|Yu, H.Y.|Chin, Albert|Kang, J.F.|Chen, Y.S.|Zhang, F.F.|Chen, B.|Huang, P.|Liu, L.F.|Liu, X.Y.|Wang, Y.Y.|
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