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Two-dimensional quantum mechanical simulation of gate leakage current of nanoscale MOSFETs
  • 所属机构名称：武汉大学
  • 会议名称：IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC 2010)
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：纳米尺度新型MOS器件的量子模型研究
作者： Hao Wang|Gao Feng Wang|Sheng Chang|
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