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The growth and properties of freestanding m-GaN substrates by HVPE
  • 所属机构名称：南京大学
  • 会议名称：International Conference on Electronic Materials 2008,28th July-1st August 2008
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：获得高质量低位错密度GaN衬底的生长新思路及相关关键问题研究
作者： 修向前|
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