欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
会议
> 会议详情页
生长在GeSi应变合金层上的Ge量子
所属机构名称:复旦大学
会议名称:第十六届全国半导体物理学术会议
成果类型:会议
相关项目:锗硅量子点分子的耦合效应研究
作者:
陶镇生,占宁,杨洪斌,蒋最敏,
同会议论文项目
锗硅量子点分子的耦合效应研究
期刊论文 7
会议论文 4
同项目会议论文
Ge/Si 量子点退火特性研究
The study of double layer quan
锗硅双层量子点耦合效应的研究