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Static noise margin analysis of double-gate MOSFETs SRAM
  • 所属机构名称：清华大学
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：适用于65nm技术代以后的CMOS器件栅工程和沟道工程关键技术研究
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适用于65nm技术代以后的CMOS器件栅工程和沟道工程关键技术研究
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