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氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算
  • 所属机构名称：南京大学
  • 会议名称：第十五届化合物半导体材料、微波器件及光电器件学术会议
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：获得高质量低位错密度GaN衬底的生长新思路及相关关键问题研究
作者： 修向前|
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