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基于65nm CMOS工艺的噪声系数为3.4dB的k-band低噪声放大器
  • 所属机构名称：复旦大学
  • 会议名称：2013 IEEE International Symposium on Circuits and Systems, ISCAS 2013
  • 时间：2013.5.5
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：可配置多模个人无线通信射频接收前端关键技术的研究
作者： Xu, Jianfei|Yan, Na|Chen, Qiang|Gao, Jianjun|Zeng, Xiaoyang|
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