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The Tunable Plasmonic Resonant Absorption in Grating-gate GaN-based HEMTs for THz detection
  • 所属机构名称：中国科学院上海技术物理研究所
  • 会议名称：12th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD)
  • 时间：2012
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：新型高K栅介质双沟道AlN/GaN/AlGaN/GaN基MOS-HEMTs极化和电流坍塌效应研究
作者： Hu, Weida|Wang, Lin|Guo, Nan|Chen, Xiaoshuang|Lu, Wei|
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