欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
会议
> 会议详情页
First principle calculation and preparation of Sn-doped GaN films
所属机构名称:浙江大学
成果类型:会议
相关项目:透明导电金属氧化物薄膜的P型掺杂研究
同会议论文项目
透明导电金属氧化物薄膜的P型掺杂研究
期刊论文 42
会议论文 2
著作 1
同项目会议论文
Preparation of P-type transparent conducting antimony-tin oxide thin films by DC reactive magnetron