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Two-terminal electroluminescence of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
  • 所属机构名称：中国电子科技集团公司第五十五研究所
  • 会议名称：2012 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology, ICMMT 2012
  • 时间：2012
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：GaN HEMT中电致发光与器件性能关系研究
作者： Kong, Yuechan|Ren, Chunjiang|Dong, Xun|Zhou, Jianjun|Xue, Fangshi|Chen, Tangsheng|Li, Liang|
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