位置：成果数据库 > 会议 > 会议详情页
退火时间对SiC基GaN纳米薄膜场发射性能的影响
  • 所属机构名称：北京工业大学
  • 会议名称：中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
  • 时间：2013.8.8
  • 成果类型：会议
  • 相关项目：新型极化诱导增强AlGaN量子薄膜场发射冷阴极及其能谱研究
作者： 陈程程|王如志|王波|严辉|
同会议论文项目
新型极化诱导增强AlGaN量子薄膜场发射冷阴极及其能谱研究
期刊论文 35 会议论文 8
同项目会议论文
Modulation of band gaps of codoping GaN: a first principles study
PECVD制备GaN纳米线及其场发射性能研究
低维AlGaN材料制备及其场发射性能研究
纳米增强AlGaN半导体薄膜场发射理论及实验研究
Photoluminescence properties of gallium nitride nanowires grown by plasma-enhanced hot filament chem
半导体薄膜纳米结构增强场发射理论及实验研究
Interfacial design of Si doping in group-III nitrides