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Study on atomic layer etching of Si in inductively coupled Ar/Cl2 plasmas driven by tailored bias waveforms
  • ISSN号：1009-0630
  • 期刊名称：《等离子体科学与技术：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN011[电子电信—物理电子学] O657.31[理学—分析化学;理学—化学]
  • 作者机构：School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, Dalian 116024,People's Republic of China
  • 相关基金：This work was supported by National Natural Science Foundation of China （No. 11375040）.
作者： 麻晓琴, 张赛谦, 戴忠玲, 王友年
关键词： 电感耦合等离子体, 等离子体层, 电压波形, 原子层, 偏置, 蚀刻, 定制, 多尺度模型, inductively etching sheath trench waveform chamber settled figure anisotropic angular
中文摘要：

E-mail： 1192287760@qq.com E-mail： daizhl@dlut.edu.cn

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期刊信息
  • 《等离子体科学与技术：英文版》
  • 主管单位:中国科学院 中国科协
  • 主办单位:中国科学院等离子体物理研究所 中国力学学会
  • 主编：万元熙、谢纪康
  • 地址：合肥市1126信箱
  • 邮编：230031
  • 邮箱：pst@ipp.ac.cn
  • 电话：0551-5591617 5591388
  • 国际标准刊号：ISSN：1009-0630
  • 国内统一刊号：ISSN：34-1187/TL
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  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库
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