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Investigation of 4H SiC metal insulation semiconductorstructure with Al2O3/SiO2 stacked dielectric
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：Chinese Physics B
  • 时间：2012.2.22
  • 页码：-
  • 相关项目：HfAlO/4H-SiC MOSFETs功率器件研究
作者： 张玉明|
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HfAlO/4H-SiC MOSFETs功率器件研究
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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
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  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406